半導體激光器的波長是什么決定的？

半導體激光器可以發(fā)射出不同波長的激光，不同波長的激光能夠做的事情也不一樣。那么半導體激光器的波長是由什么決定的呢?松盛光電來給大家介紹半導體激光器的波長取決于什么因素，來了解一下吧。

半導體材料

不同的半導體材料具有不同的禁帶寬度，而半導體激光器的發(fā)射波長近似等于禁帶寬度對應的能量，其關系為微米 。例如，GaAlAs-GaAs 材料的禁帶寬度對應 0.85μm 波段，InGaAsP-InP 材料則適用于 1.3~1.55μm 波段。

溫度

溫度升高會使半導體的禁帶寬度變小，從而導致波長變大。因為半導體中電子躍遷所釋放的能量與禁帶寬度相關，禁帶寬度變小，釋放的能量降低，根據(jù)波長與能量的反比關系，波長就會變長。

摻雜濃度

晶體的摻雜濃度會影響半導體激光器的波長。一般來說，摻雜濃度越大，閾值電流越小，電子與空穴的復合效率可能發(fā)生變化，進而影響到發(fā)射波長。

諧振腔結構

諧振腔的結構參數(shù)如長度、折射率等也會對波長產生影響。諧振腔的作用是使受激輻射在腔內得到多次反饋從而形成激光振蕩，其結構決定了腔內光場的分布和模式，進而影響激光的波長和光譜特性。